[实用新型]一种半导体级无减低铝高纯石英坩埚有效
申请号: | 202021818694.7 | 申请日: | 2020-08-27 |
公开(公告)号: | CN213113597U | 公开(公告)日: | 2021-05-04 |
发明(设计)人: | 贾建亮;贾建恩;孙艳 | 申请(专利权)人: | 廊坊赫尔劳斯太阳能光伏有限公司 |
主分类号: | C30B15/10 | 分类号: | C30B15/10;C30B29/06 |
代理公司: | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人: | 杨玉廷 |
地址: | 065300 河北省廊坊*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种半导体级无减低铝高纯石英坩埚,包括坩埚本体,所述坩埚本体上方通过螺纹连接内盖,所述内盖上方设有提把,所述内盖上端外侧设有固定槽,所述内盖位于固定槽内测设有多个等距排布的第二通槽,所述内盖上方设有外盖,所述外盖下方设有与固定槽相匹配的固定环,所述外盖上设有与第二通槽相匹配的第一通槽,所述外盖上端设有套环,所述套环内部通槽与提把外部截面相匹配。该种半导体级无减低铝高纯石英坩埚,内盖和外盖上的通孔相对应,通过转动外盖,既可以调整第一通槽与第二通槽的连通程度,从而调整出气口的角度,同时石英为低铝石英,避免坩埚在使用时造成金属离子污染。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 减低 高纯 石英 坩埚 | ||
【主权项】:
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