[实用新型]一种PVT法生产碳化硅单晶的装置有效
| 申请号： | 202021359916.3 | 申请日： | 2020-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN213866495U | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 方帅;高超;高宇晗;宗艳民 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36;C23C14/34;C23C14/18 |
| 代理公司： | 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 | 代理人： | 王振南 |
| 地址： | 250118 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种PVT法生产碳化硅单晶的装置。所述装置包括碳化硅长晶坩埚和加热装置，所述碳化硅长晶坩埚外周设热辐射反射装置，所述热辐射反射装置能够将所述坩埚处散发出来的热量反射回所述坩埚处。本实用新型装置可以降低碳化硅长晶所用的功率，节约电能和长晶成本，同时还可以降低碳化硅晶体出现晶体多型或微管等缺陷，提高良品率；另外，由于使用热辐射反射装置后热量主要反射回坩埚处，向外传导的热量很少，不需要对PVT法生产碳化硅单晶的装置外部进行降温，取代了长晶装置外的循环水或者进出风口的冷却方式，减小了长晶条件出现波动的几率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pvt 生产 碳化硅 装置 | ||
【主权项】：
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