[实用新型]一种氮化硅陶瓷上金属围坝的共晶焊接结构有效
| 申请号： | 202021071118.0 | 申请日： | 2020-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN212451222U | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 周孔礼 | 申请（专利权）人： | 山西华微紫外半导体科技有限公司;周孔礼 |
| 主分类号： | C04B37/02 | 分类号： | C04B37/02;C04B41/88 |
| 代理公司： | 深圳市华盛智荟知识产权代理事务所(普通合伙) 44604 | 代理人： | 胡国英 |
| 地址： | 046021 山西省长治市高新区漳泽工业园*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种氮化硅陶瓷上金属围坝的共晶焊接结构，包括氮化硅陶瓷基板,所述氮化硅陶瓷基板上设置有金属线路涂层，沿着所述金属线路涂层设置有用于焊接的合金金属层,所述合金金属层的形状与所述金属线路涂层的形状适配，所述合金金属层上设置有围坝，所述围坝的下端面形状与所述合金金属层的形状适配。本实用新型构思新颖、设计合理，且便于使用，本实用新型根据氮化硅陶瓷基板需要通过共晶焊接围坝，提供了一种氮化硅陶瓷基板和围坝之间的设置结构，用于氮化硅陶瓷基板上共晶焊接围坝，效果良好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 陶瓷 金属 焊接 结构 | ||
【主权项】：
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