[实用新型]一种氮化硅陶瓷上金属围坝的共晶焊接结构有效
| 申请号： | 202021071118.0 | 申请日： | 2020-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN212451222U | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 周孔礼 | 申请（专利权）人： | 山西华微紫外半导体科技有限公司;周孔礼 |
| 主分类号： | C04B37/02 | 分类号： | C04B37/02;C04B41/88 |
| 代理公司： | 深圳市华盛智荟知识产权代理事务所(普通合伙) 44604 | 代理人： | 胡国英 |
| 地址： | 046021 山西省长治市高新区漳泽工业园*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 陶瓷 金属 焊接 结构 | ||
1.一种氮化硅陶瓷上金属围坝的共晶焊接结构，其特征在于：包括氮化硅陶瓷基板(1),所述氮化硅陶瓷基板(1)上设置有金属线路涂层(2)，沿着所述金属线路涂层(2)设置有用于焊接的合金金属层(3),所述合金金属层(3)的形状与所述金属线路涂层(2)的形状适配，所述合金金属层(3)上设置有围坝(4)，所述围坝(4)的下端面形状与所述合金金属层(3)的形状适配。
2.如权利要求1所述的一种氮化硅陶瓷上金属围坝的共晶焊接结构，其特征在于：所述金属线路涂层(2)包括焊接部(2a)和连接部(2b)。
3.如权利要求2所述的一种氮化硅陶瓷上金属围坝的共晶焊接结构，其特征在于：所述焊接部(2a)呈圆环状，且所述连接部(2b)呈“T”字形状，所述连接部(2b)的一端连接到所述焊接部(2a)的外周边沿。
4.如权利要求3所述的一种氮化硅陶瓷上金属围坝的共晶焊接结构，其特征在于：所述合金金属层(3)呈圆环状，且所述合金金属层(3)的内部边沿对应到所述焊接部(2a)的中线位置。
5.如权利要求4所述的一种氮化硅陶瓷上金属围坝的共晶焊接结构，其特征在于：所述围坝(4)呈圆环状，且所述围坝(4)的下端厚度小于所述合金金属层(3)的宽度。
6.如权利要求5所述的一种氮化硅陶瓷上金属围坝的共晶焊接结构，其特征在于：所述围坝(4)采用金属或者氮化硅陶瓷制成。
7.如权利要求6所述的一种氮化硅陶瓷上金属围坝的共晶焊接结构，其特征在于：所述氮化硅陶瓷基板(1)包括第一表面(1a)和与该第一表面(1a)相对的第二表面(1b)，所述金属线路涂层(2)设置在所述第一表面(1a)，所述第二表面(1b)设置有延伸线路涂层(5)，且该延伸线路涂层(5)与所述金属线路涂层(2)接通。
8.如权利要求7所述的一种氮化硅陶瓷上金属围坝的共晶焊接结构，其特征在于：所述氮化硅陶瓷基板(1)上设置有多个所述焊接部(2a)，每个所述焊接部(2a)对应一个所述合金金属层(3)和一个围坝(4)，且每个所述焊接部(2a)对应的所述连接部(2b)接通为一体。
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