[实用新型]一种PN结扩散或钝化用单峰高温的加热炉有效
| 申请号： | 202021000554.9 | 申请日： | 2020-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN212010912U | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 沈怡东;欧阳潇;王成森 | 申请（专利权）人： | 捷捷半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/56;H01L21/225 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 张丽丽;韩蕾 |
| 地址： | 226017 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种PN结扩散或钝化用单峰高温的加热炉。该加热炉具有温度控制设备，加热炉主体为炉管，炉管一端为硅片进口，另一端为硅片出口，炉管的硅片进口端和出口端为低温区，中部为高温区。本实用新型的上述PN结扩散或钝化用单峰高温的加热炉可以用于硅片的扩散和钝化。通过上述加热炉实现的扩散和钝化提高了多硅片进出炉烧结工艺的一致性，提高特性参数的一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pn 扩散 钝化 单峰 高温 加热炉 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
