[实用新型]一种PN结扩散或钝化用单峰高温的加热炉有效
申请号: | 202021000554.9 | 申请日: | 2020-06-04 |
公开(公告)号: | CN212010912U | 公开(公告)日: | 2020-11-24 |
发明(设计)人: | 沈怡东;欧阳潇;王成森 | 申请(专利权)人: | 捷捷半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/56;H01L21/225 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 张丽丽;韩蕾 |
地址: | 226017 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 pn 扩散 钝化 单峰 高温 加热炉 | ||
1.一种PN结扩散或钝化用单峰高温的加热炉,该加热炉具有温度控制设备,加热炉主体为炉管,炉管一端为硅片进口,另一端为硅片出口,炉管的硅片进口端和出口端为低温区,中部为高温区;
温度控制设备为加热丝,沿炉管的长度方向至少包括3段不同缠绕间隔的加热丝;
第一段加热丝的缠绕间隔:第二段加热丝的缠绕间隔:第三段加热丝的缠绕间隔为2-3:1-2:2-3。
2.根据权利要求1所述的加热炉,其中,第一段加热丝的缠绕间隔为15mm-20mm,第二段加热丝的缠绕间隔为10mm-15mm,第三段加热丝的缠绕间隔为15mm-20mm。
3.根据权利要求1所述的加热炉,其中,第一段加热丝的缠绕间隔为10mm-15mm,第二段加热丝的缠绕间隔为5mm-10mm,第三段加热丝的缠绕间隔为10mm-15mm。
4.根据权利要求1所述的加热炉,其中,第一段加热丝的缠绕间隔为15mm-20mm,第二段加热丝的缠绕间隔为5mm-10mm,第三段加热丝的缠绕间隔为15mm-20mm。
5.根据权利要求1所述的加热炉,其中,沿炉管的长度方向设置5段不同缠绕间隔的加热丝,第一段加热丝的缠绕间隔:第二段加热丝的缠绕间隔:第三段加热丝的缠绕间隔:第四段加热丝的缠绕间隔:第五段加热丝的缠绕间隔为3-4:2-3:1-2:2-3:3:4。
6.根据权利要求5所述的加热炉,其中,第一段加热丝的缠绕间隔为15mm-20mm,第二段加热丝的缠绕间隔为10mm-15mm,第三段加热丝的缠绕间隔为5mm-10mm,第四段加热丝的缠绕间隔为10mm-15mm,第五段加热丝的缠绕间隔为15mm-20mm。
7.根据权利要求1所述的加热炉,其中,加热设备为加热丝,沿炉管的长度方向至少包括3段不同粗细的加热丝;第一段加热丝的切面直径:第二段加热丝的切面直径:第三段加热丝的切面直径比为2-3:1-2:2-3。
8.根据权利要求7所述的加热炉,其中,加热丝的切面直径为5mm-10mm。
9.根据权利要求1所述的加热炉,其中,加热丝覆盖的加热区域的总长度为炉管总长度的1/3-3/4。
10.根据权利要求1所述的加热炉,其中,该加热炉每次至少同时处理200片硅片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造