[实用新型]一种含超级结的3C-SiC外延结构有效
| 申请号： | 202020894666.7 | 申请日： | 2020-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN211907437U | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 左万胜;钮应喜;乔庆楠;刘洋;张晓洪;刘锦锦;袁松;史田超;史文华;钟敏 | 申请（专利权）人： | 芜湖启迪半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/04 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人： | 尹婷婷 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市弋江*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种含超级结的3C‑SiC外延结构，所述含超级结的3C‑SiC外延结构由下之上依次包括衬底、含超级结结构的N型外延层、3C‑SiC外延层；本实用新型通过在3C‑SiC外延层之下插入了含超级结结构的N型外延层，补偿了3C‑SiC器件耐压低的劣势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超级 sic 外延 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于芜湖启迪半导体有限公司，未经芜湖启迪半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202020894666.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
