[实用新型]一种含超级结的3C-SiC外延结构有效
| 申请号： | 202020894666.7 | 申请日： | 2020-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN211907437U | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 左万胜;钮应喜;乔庆楠;刘洋;张晓洪;刘锦锦;袁松;史田超;史文华;钟敏 | 申请（专利权）人： | 芜湖启迪半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/04 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人： | 尹婷婷 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市弋江*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 超级 sic 外延 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种含超级结的3C-SiC外延结构，其特征在于，所述含超级结的3C-SiC外延结构由下之上依次包括衬底、含超级结结构的N型外延层、3C-SiC外延层。
2.根据权利要求1所述的含超级结的3C-SiC外延结构，其特征在于，所述含超级结结构的N型外延层的厚度为5～200μm。
3.根据权利要求1所述的含超级结的3C-SiC外延结构，其特征在于，所述含超级结结构的N型外延层中，超级结结构沿N型外延层表面向下纵向布置。
4.根据权利要求2或3所述的含超级结的3C-SiC外延结构，其特征在于，所述超级结结构的深度为5-195μm。
5.根据权利要求1所述的含超级结的3C-SiC外延结构，其特征在于，所述含超级结结构的N型外延层与3C-SiC外延层接触的表面上带有均匀分布的光刻图形。
6.根据权利要求5所述的含超级结的3C-SiC外延结构，其特征在于，所述光刻图形深度为1-2μm，尺寸为 3-20μm，光刻图形间隔为3-20μm。
7.根据权利要求5所述的含超级结的3C-SiC外延结构，其特征在于，所述光刻图形为正方形、长方形、菱形或六边形。
8.根据权利要求1所述的含超级结的3C-SiC外延结构，其特征在于，所述3C-SiC外延层的厚度为3～10μm。
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