[实用新型]一种结势垒肖特基二极管结构有效
| 申请号： | 202020075832.0 | 申请日： | 2020-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN211376647U | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 曹群;肖秀光;吴海平 | 申请（专利权）人： | 深圳比亚迪微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 莎日娜 |
| 地址： | 518119 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种结势垒肖特基二极管结构，包括：设置于阴极背面金属层上的N型碳化硅衬底层；位于所述N型碳化硅衬底层上的N型碳化硅外延层；内嵌在所述N型碳化硅外延层上表面的多个P型扩散区域；覆盖在所述N型碳化硅外延层上且避开所述P型扩散区域设置的N型硅区域；覆盖在所述N型硅区域和所述P型扩散区域上的金属阳极接触层。本申请在N型碳化硅外延层的上表面沉积了薄层的N型硅区域，N型硅区域与金属阳极接触层之间形成硅肖特基结构，可有效降低肖特基势垒，使得载流子越迁能量降低，进而使得JBS的正向开启电压VF大幅度降低，以此降低了系统的开通损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结势垒肖特基 二极管 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳比亚迪微电子有限公司，未经深圳比亚迪微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202020075832.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
