[发明专利]薄膜晶体管用薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 202011642912.0 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN112813386A | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 汤惠淋;宋世金;朱刘;邵学亮 | 申请（专利权）人： | 先导薄膜材料（广东）有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35;H01L21/02;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387 | 代理人： | 张向琨 |
| 地址： | 511517 广东省清*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本公开提供一种薄膜晶体管用薄膜的制备方法，其包括步骤：步骤一：将掺镨的IGZO靶材安装；步骤二：衬底清洗；步骤三：直流磁控溅射生长镨掺杂非晶铟镓锌氧化物薄膜，其中，所述的掺镨的IGZO靶材为IGZO靶材远离背板的一侧表面镨掺杂质量浓度的范围为15％～20％，随着靶材深度每增加0.3～0.7mm，镨掺杂浓度增加0.2％～0.6％；掺镨的IGZO靶材的密度≥6.642g/cm |
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| 搜索关键词： | 薄膜 晶体 管用 制备 方法 | ||
【主权项】：
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