[发明专利]一种生产高活性高纯度气相二氧化硅的方法有效
| 申请号： | 202011638247.8 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112723364B | 公开（公告）日： | 2022-12-13 |
| 发明（设计）人： | 徐勋迪;余佳君;徐小岗 | 申请（专利权）人： | 徐小岗 |
| 主分类号： | C01B33/18 | 分类号： | C01B33/18;C01B33/107;C01B7/03;B82Y40/00;C07D301/26;C07D303/08 |
| 代理公司： | 杭州裕阳联合专利代理有限公司 33289 | 代理人： | 金方玮 |
| 地址： | 324000 浙江省衢州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种生产高活性高纯度气相二氧化硅的配方及其方法，反应燃烧质量比：四氯化硅：氧气：氢气＝200.00:75.34:2.38；四氯化硅的制备配方按照质量比为：二氧化硅：焦炭：纯氯气：TH‑904＝100.00:48.00:227.00:1.00；沉淀法二氧化硅中二氧化硅含量大于96.00％，氟硅酸钾1.00‑2.00％，硫酸盐小于等于0.80％；本发明能够合理利用生产高活性氟化钾的副产物沉淀法二氧化硅，提高资源利用率；本发明的氟硅酸钾与TH‑904在二氧化硅转化为四氯化硅反应过程中具有很强的催化协同分散作用，降低了反应条件，从而降低生产成本与反应系统的复杂性，同时能够提高产品质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生产 活性 纯度 二氧化硅 方法 | ||
【主权项】：
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