[发明专利]一种生产高活性高纯度气相二氧化硅的方法有效
| 申请号： | 202011638247.8 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112723364B | 公开（公告）日： | 2022-12-13 |
| 发明（设计）人： | 徐勋迪;余佳君;徐小岗 | 申请（专利权）人： | 徐小岗 |
| 主分类号： | C01B33/18 | 分类号： | C01B33/18;C01B33/107;C01B7/03;B82Y40/00;C07D301/26;C07D303/08 |
| 代理公司： | 杭州裕阳联合专利代理有限公司 33289 | 代理人： | 金方玮 |
| 地址： | 324000 浙江省衢州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 生产 活性 纯度 二氧化硅 方法 | ||
1.一种生产高活性高纯度气相二氧化硅的方法，其特征在于，二氧化硅按照反应燃烧质量比为：四氯化硅：氧气：氢气=200.00:75.34:2.38；四氯化硅的制备配方按照质量比为：沉淀法二氧化硅：焦炭：纯氯气：TH-904=100.00:48.00:227.00:1.00；
所述沉淀法二氧化硅中二氧化硅含量大于96.00%，氟硅酸钾1.00-2.00%，硫酸盐小于等于0.80%；
生产高活性高纯度气相二氧化硅的方法，包括如下步骤：
步骤一，利用氟硅酸和氟硅酸盐生产高活性氟化钾及电子级氟化盐所生产的副产品沉淀法二氧化硅；
步骤二，将副产品沉淀法二氧化硅进行离心干燥得到干燥沉淀法二氧化硅；
步骤三，将沉淀法二氧化硅与氯气、焦炭、TH-904在600-900℃下反应生成四氯化硅；步骤四，将四氯化硅与氢气和氧气反应燃烧生成高活性高纯度气相二氧化硅和氯化氢。
2.根据权利要求1所述的一种生产高活性高纯度气相二氧化硅的方法，其特征在于，所述沉淀法二氧化硅中二氧化硅含量大于96.00%，氟硅酸钾1.00-2.00%，硫酸盐小于等于0.80%。
3.根据权利要求1所述的一种生产高活性高纯度气相二氧化硅的方法，其特征在于，所述焦炭的平均粒径是8μm以下，BET法表面积是120m2/g以上，硫分小于0.06%,碳含量80.00-87.00%。
4.根据权利要求1所述的一种生产高活性高纯度气相二氧化硅的方法，其特征在于，步骤三，将沉淀法二氧化硅与氯气、焦炭、TH-904在800℃下反应生成四氯化硅。
5.根据权利要求1所述的一种生产高活性高纯度气相二氧化硅的方法，其特征在于，步骤三，按照质量分数比二氧化硅：焦炭：纯氯气：TH-904=100.00:48.00:227.00:1.00，在600-900℃下反应生成四氯化硅。
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