[发明专利]硅衬底GaN基LED及其制备方法在审
| 申请号： | 202011635543.2 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112736171A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 周名兵 | 申请（专利权）人： | 晶能光电（江西）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330096 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种硅衬底GaN基LED及其制备方法，其中，硅衬底GaN基LED从下至上依次包括：硅衬底、多层位错过滤缓冲层、UGaN层、NGaN电流扩展层、有源区应力释放层、多量子阱发光层、电子阻挡层、P型GaN电流扩展层及P型欧姆接触层，其中，多层位错过滤缓冲层中包括一AlN层和多层不同Al组分的Al |
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| 搜索关键词： | 衬底 gan led 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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