[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件在审
| 申请号： | 202011634838.8 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN113314608A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 沙哈吉·B·摩尔;蔡俊雄 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在制造半导体器件的方法中，其中第一半导体层和第二半导体层交替堆叠的上部鳍结构形成在下部鳍结构上方，牺牲栅极结构形成在上部鳍结构上方，蚀刻上部鳍结构的未被牺牲栅极结构覆盖的源极/漏极区域，从而形成源极/漏极空间，穿过源极/漏极空间横向蚀刻第一半导体层，在每个蚀刻的第一半导体层的端部上形成由介电材料制成的内部间隔件，以及在源极/漏极空间中形成源极/漏极外延层以覆盖内部间隔件。在蚀刻源极/漏极区域时，还蚀刻下部鳍结构的一部分以形成凹槽，其中暴露(111)表面。根据本申请的其他实施例，还提供了半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011634838.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种多次编程电子熔丝装置
- 下一篇：一种app开发方法和系统
- 同类专利
- 专利分类
