[发明专利]一种单晶生长装置有效
| 申请号： | 202011634636.3 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112853479B | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 杨树;张洁;王旻峰 | 申请（专利权）人： | 湖南三安半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 冯洁 |
| 地址： | 410000 湖南省长沙市高新开发*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种单晶生长装置，涉及晶体生长设备技术领域。该单晶生长装置，包括坩埚和设置在坩埚内部的导热石墨底座、籽晶盖、石墨支柱和多孔石墨盘。坩埚用于装盛碳化硅原料。籽晶盖设置在坩埚顶部。导热石墨底座设置在坩埚底部的中部，且用于传导热量。石墨支柱一端连接导热石墨底座；多孔石墨盘设置在石墨支柱的另一端且遮盖石墨支柱。本发明提供的单晶生长装置可以提高原料的利用率，且提高晶体的品质。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖南三安半导体有限责任公司，未经湖南三安半导体有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011634636.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
