[发明专利]一种基于误差函数精度补偿的GaN HEMT建模方法有效
| 申请号： | 202011626803.X | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN112733477B | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 马晓华;赵子越;卢阳;易楚朋;王语晨;周九鼎;刘文良 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | G06F30/3308 | 分类号： | G06F30/3308 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于误差函数精度补偿的GaN HEMT建模修正方法，包括：获取原始经验基模型的所有第一参数值；根据固定值改变第一参数值得到第二参数值；根据第二参数值和第二参数值对应的第一参数值得到若干敏感参数；根据敏感参数得到不同栅压下的敏感参数的参数值；根据栅压和栅压下的敏感参数的参数值得到第一经验基模型；根据第一经验基模型的第二拟合值和实测值得到误差的拟合值；根据误差的拟合值和预设误差阈值得到第二经验基模型。本发明提供了一种针对经验基模型的准确性修正方法，主要提升经验基模型对器件直流的拟合精度，进一步提升经验基模型的大信号拟合精度，并且提升电路设计的效率和准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 误差 函数 精度 补偿 gan hemt 建模 方法 | ||
【主权项】：
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