[发明专利]一种基于误差函数精度补偿的GaN HEMT建模方法

说明书

本发明公开了一种基于误差函数精度补偿的GaN HEMT建模修正方法，包括：获取原始经验基模型的所有第一参数值；根据固定值改变第一参数值得到第二参数值；根据第二参数值和第二参数值对应的第一参数值得到若干敏感参数；根据敏感参数得到不同栅压下的敏感参数的参数值；根据栅压和栅压下的敏感参数的参数值得到第一经验基模型；根据第一经验基模型的第二拟合值和实测值得到误差的拟合值；根据误差的拟合值和预设误差阈值得到第二经验基模型。本发明提供了一种针对经验基模型的准确性修正方法，主要提升经验基模型对器件直流的拟合精度，进一步提升经验基模型的大信号拟合精度，并且提升电路设计的效率和准确性。

技术领域

本发明属于射频功率半导体有源器件技术领域，具体涉及一种基于误差函数精度补偿的GaN HEMT建模方法。

背景技术

电子信息产业对于我国的经济发展来说至关重要，微电子技术则是该产业的重中之重。氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体材料的代表，具有禁带宽度较宽、高电子饱和速度、高击穿电压等特性，在航天、雷达、通讯中得到了广泛应用。由于各个领域的应用，推动了GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor，高电子迁移率晶体管)工程化应用的进程。

随着GaN HEMT工程化应用的发展，GaN HEMT MMIC(Monolithic MicrowaveIntegrated Circuit，单片微波集成电路)的发展也极为迅速，同时也推动了器件建模的发展。经验基模型作为紧凑模型的一种，最为广泛应用于电路设计之中。通过电路元件对器件的物理结构进行模拟，并通过表达式表征器件的I-V(电流-电压)以及电容的非线性特性，因为其准确的拟合结果以及较块的仿真速度，该类模型能够很好的应用于电路设计，近些年也得到了较好的发展。

但是，目前的GaN HEMT经验基模型的准确程度还有待提高。

发明内容

为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种基于误差函数精度补偿的GaN HEMT建模方法。本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现：

一种基于误差函数精度补偿的GaN HEMT建模修正方法，其特征在于，包括：

获取原始经验基模型的所有第一参数值；

选取一所述第一参数值，根据固定值改变所述第一参数值得到第二参数值；

根据所述第二参数值和所述第二参数值对应的所述第一参数值得到若干敏感参数；

基于梯度优化算法，根据所述敏感参数得到不同栅压下的所述敏感参数的参数值；

基于第一多项式拟合公式，根据所述栅压和所述栅压下的所述敏感参数的参数值得到第一经验基模型；

基于第二多项式拟合公式，根据所述第一经验基模型的第二拟合值和实测值得到误差的拟合值；

根据所述误差的拟合值和预设误差阈值得到第二经验基模型。

在本发明的一个实施例中，基于参数值敏感性分析公式，根据所述第二参数值和所述第二参数值对应的所述第一参数值得到若干敏感参数，包括：

根据所述原始经验基模型和所述第二参数值得到第一拟合值；

根据所述第一拟合值和原拟合值得到若干敏感参数。

在本发明的一个实施例中，根据所述原始经验基模型和所述第二参数值得到第一拟合值，包括：

将所述第二参数值输入至所述原始经验基模型得到第一拟合值。

在本发明的一个实施例中，根据所述第一拟合值和原拟合值得到若干敏感参数，包括：

将每个所述偏置下的所述第一拟合值和所述原拟合值求差，得到每个所述偏置下的误差；