[发明专利]一种基于误差函数精度补偿的GaN HEMT建模方法

权利要求书

1.一种基于误差函数精度补偿的GaN HEMT建模修正方法，其特征在于，包括：

获取原始经验基模型的所有第一参数值；

选取一所述第一参数值，根据固定值改变所述第一参数值得到第二参数值；

根据所述第二参数值和所述第二参数值对应的所述第一参数值得到若干敏感参数，具体包括：将所述第二参数值输入至所述原始经验基模型得到第一拟合值；将每个所述偏置下的所述第一拟合值和所述原拟合值求差，得到每个所述偏置下的误差；根据每个所述偏置下的误差得到所述第一参数值的改变带来的第一变化量；根据所述第一变化量得到若干敏感参数；

基于梯度优化算法，根据所述敏感参数得到不同栅压下的所述敏感参数的参数值；

基于第一多项式拟合公式，根据所述栅压和所述栅压下的所述敏感参数的参数值得到第一经验基模型；

基于第二多项式拟合公式，根据所述第一经验基模型的第二拟合值和实测值得到误差的拟合值，具体包括：根据所述第一经验基模型得到各个偏置下的第二拟合值；根据各个偏置下的所述第二拟合值和各个偏置下的实测值得到对应的误差值；基于所述第二多项式拟合公式，根据所述误差值拟合得到所述误差的拟合值，所述第二多项式拟合公式为：

其中，error为误差的拟合值，k₃₁、k₃₂、k₃₃、k₃₄、k₂₁、k₂₂、k₂₃、k₁₁、k₁₂、k₀₁为系数，V_gs为栅压，V_ds为漏压；

根据所述误差的拟合值和预设误差阈值得到第二经验基模型。

2.根据权利要求1所述的GaN HEMT建模方法，其特征在于，根据每个所述偏置下的误差得到所述第一参数值的改变带来的第一变化量，包括：

将每个偏置下的误差取绝对值，计算所有所述偏置下的误差的绝对值之和，得到所述第一变化量。

3.根据权利要求1所述的GaN HEMT建模方法，其特征在于，根据所述第一拟合值和原拟合值得到若干敏感参数，包括：

基于参数值敏感性分析公式，根据所述第一参数值、所述固定值、所述第一参数值对应的原拟合值、所述第一拟合值得到若干敏感参数。

4.根据权利要求1所述的GaN HEMT建模方法，其特征在于，所述参数值敏感性分析公式为：

ε＝[f(x+Δx)-f(x)]/(Δx/x)

其中，ε为参数敏感值，x为第一参数值、Δx为固定值，f(x)为第一参数值对应的原拟合值，f(x+Δx)为第二参数值对应的第一拟合值。

5.根据权利要求1所述的GaN HEMT建模方法，其特征在于，所述第一多项式拟合公式为：

其中，N的取值为2～5，A_n为系数，V_gs为栅压，Parameter为敏感参数。