[发明专利]底发射量子点发光二极管及其制备方法

摘要

本发明公开一种底发射量子点发光二极管及其制备方法。底发射量子点发光二极管包括依次层叠设置的第一聚合物薄膜、无机化合物薄膜、基底、第二聚合物薄膜、第一电极、量子点发光层和第二电极；第一电极的折射率＞第二聚合物薄膜的折射率＞基底的折射率＞无机化合物薄膜的折射率＞第一聚合物薄膜的折射率＞空气的折射率。本发明通过在基底与第一电极之间引入一层折射率介于基底与第一电极之间的第二聚合物薄膜过渡，可以减少器件发出的光进行漫反射和反射，提高器件的出光率。另外，通过在基底与空气接触的外侧引入一层无机化合物薄膜和第一聚合物薄膜，可以将折射率降低至与空气折射率接近，进一步提高器件的出光率，且避免了出现炫屏的现象。