[发明专利]GAN垂直型器件中的再生长均匀性在审
| 申请号： | 202011618830.2 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN113140560A | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 克利福德·德劳利;雷·米拉诺;苏巴什·斯里尼瓦·皮达帕蒂;安德鲁·P·爱德华兹 | 申请（专利权）人： | 新时代电力系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L29/06;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 易皎鹤 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件，包括：具有第一导电类型的半导体衬底、耦合至半导体衬底的第一导电类型的漂移层、在漂移层上的具有第一行鳍片和第二行鳍片的鳍片阵列、以及在第一行鳍片和第二行鳍片之间的间隔。所述第一行鳍片包括多个第一细长鳍片，所述多个第一细长鳍片沿着第一行方向彼此平行地布置并且通过第一距离进行分隔，所述第二行鳍片包括多个第二细长鳍片，所述多个第二细长鳍片沿着第二行方向彼此平行地布置并且通过第二距离进行分隔。 | ||
| 搜索关键词： | gan 垂直 器件 中的 再生 均匀 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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