[发明专利]一种多层衬底、电子元器件及多层衬底制备方法有效
| 申请号： | 202011615980.8 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN112750686B | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 李真宇;杨超;李洋洋;张秀全;刘阿龙;韩智勇 | 申请（专利权）人： | 济南晶正电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 逯长明;许伟群 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区港*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种多层衬底、电子元器件及多层衬底制备方法。本申请提供的多层衬底，从下至上依次为：衬底层、缺陷层、绝缘层以及有源层；其中，缺陷层包括缺陷基体以及以第一预设浓度掺杂在缺陷基体中的杂质；第一预设浓度小于或等于缺陷层自身的陷阱可容纳载流子达到饱和状态时的掺杂浓度。本申请提供的方法包括：制备衬底层；在衬底层上通过掺入第一预设浓度的杂质的方法制备缺陷层；其中，第一预设浓度小于或等于缺陷层自身的陷阱可容纳载流子达到饱和状态时的掺杂浓度；在缺陷层上制备绝缘层；在绝缘层上制作有源层，得到多层衬底。本申请提供的多层衬底，降低了载流子的迁移率，从而降低电损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多层 衬底 电子元器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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