[发明专利]一种P型硅基底的背结背接触太阳电池及其制作方法

摘要

本发明公开了一种P型硅基底的背结背接触太阳电池及其制备方法，属于太阳电池制备领域，包括以下步骤：对P型单晶硅片双面抛光；对P型单晶硅片的正面进行制绒；对所述P型单晶硅片的正面、背面均进行磷扩散；单独去除背面上的第二磷硅玻璃层，保留背发射区；在背发射区上沉积氮化硅掩膜层；对氮化硅掩膜层进行开槽处理；对P型单晶硅片进行刻蚀抛光处理；对P型单晶硅片上的最终凹槽的槽面进行硼扩散；去除第一磷硅玻璃层、氮化硅掩膜层、硼硅玻璃层；在P型单晶硅片的正面形成钝化减反射膜，在P型单晶硅片的背面形成钝化层；在钝化层上间隔印刷电极，以形成负电极和正电极。本发明的优点在于在保证性能的同时，可以有效降低成本。