[发明专利]一种低介电常数聚酰亚胺薄膜及其制备方法在审
申请号: | 202011595028.6 | 申请日: | 2020-12-28 |
公开(公告)号: | CN112679954A | 公开(公告)日: | 2021-04-20 |
发明(设计)人: | 惠振京;石亚东 | 申请(专利权)人: | 安徽省长荣新材料科技有限公司 |
主分类号: | C08L79/08 | 分类号: | C08L79/08;C08L27/18;C08K9/06;C08K7/26;C08J5/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 242200 安徽省宣*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明涉及一种低介电常数聚酰亚胺薄膜及其制备方法。本发明的低介电常数聚酰亚胺薄膜,包括芳香二胺、非质子极性溶剂、芳香二酐、纳米二氧化硅空心球粉末、硅烷偶联剂、含氟聚合物粉末、催化剂、脱水剂;将所述的芳香二胺在氮气环境下溶解于非质子极性溶剂中;所述的纳米二氧化硅空心球粉末的制备方法:室温下在500mL单口圆底烧瓶内分别加入240mL浓度为5mol/L的盐酸溶液、20g 1,3,5‑三甲苯和20g Pluronic F127表面活性剂,搅拌10h后得到白色乳液,加入20g正硅酸四乙酯,继续搅拌10h,然后再加入10g二甲基二甲氧基硅烷,继续搅拌48h。将反应液倒入截留分子量14000的透析袋中,放入蒸馏水中渗析48h,每3h更换一次蒸馏水。袋中溶液用旋转蒸发仪去除溶剂,并放入80℃的真空干燥箱内干燥。 | ||
搜索关键词: | 一种 介电常数 聚酰亚胺 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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