[发明专利]一种BH激光器MESA台面的制备方法有效
申请号: | 202011591704.2 | 申请日: | 2020-12-29 |
公开(公告)号: | CN112701563B | 公开(公告)日: | 2022-08-05 |
发明(设计)人: | 张鹏;张永;单智发;陈阳华 | 申请(专利权)人: | 全磊光电股份有限公司 |
主分类号: | H01S5/183 | 分类号: | H01S5/183;H01S5/227;C23C16/50;C23C16/455;C23C16/40 |
代理公司: | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251 | 代理人: | 刘计成 |
地址: | 361000 福建省厦门市火炬*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明公开了一种BH激光器MESA台面的制备方法,其包括如下步骤:1)SIO2掩盖层生长,利用PEALD生长SIO2掩蔽膜;2)MESA光刻;3)SIO2掩盖层蚀刻;4)MESA腐蚀;5)二次外延。该BH激光器MESA台面的制备方法采用PEALD(等离子增强型原子层沉积)生长的SIO2膜层,为原子层面的沉积,相对PECVD生长,膜层更致密,无针孔,其膜层与基片表面粘附性极强,50~100nm膜厚就能满足二次外延的需求,且生长时应力较小,二次外延生长的掩埋层更均匀。 | ||
搜索关键词: | 一种 bh 激光器 mesa 台面 制备 方法 | ||
【主权项】:
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