[发明专利]一种BH激光器MESA台面的制备方法有效
| 申请号： | 202011591704.2 | 申请日： | 2020-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN112701563B | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 张鹏;张永;单智发;陈阳华 | 申请（专利权）人： | 全磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/227;C23C16/50;C23C16/455;C23C16/40 |
| 代理公司： | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251 | 代理人： | 刘计成 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市火炬*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 bh 激光器 mesa 台面 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种BH激光器MESA台面的制备方法，其特征在于，其包括如下步骤：
1）SiO2掩膜层的生长，利用PEALD脉冲式沉积生长SiO2掩膜层，所述生长SiO2掩膜层的厚度为50nm~100nm；
2）MESA光刻；
3）SiO2掩膜层蚀刻；
4）MESA腐蚀；
5）二次外延；
SiO2掩蔽膜的生长温度300℃，生长速率为0.2nm/s；
步骤4）中，MESA腐蚀所使用的腐蚀溶液包括BR、饱和溴水、HBR及H2O，所述BR、饱和溴水、HBR、H2O的体积比为0.5~1:1~2:60~80:100~200。
2.根据权利要求1所述的BH激光器MESA台面的制备方法，其特征在于，步骤4）中MESA腐蚀在恒温槽进行，温度控制在-15℃~-5℃。
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