[发明专利]一种BH激光器MESA台面的制备方法

说明书

本发明公开了一种BH激光器MESA台面的制备方法，其包括如下步骤：1）SIO2掩盖层生长，利用PEALD生长SIO2掩蔽膜；2）MESA光刻；3）SIO2掩盖层蚀刻；4）MESA腐蚀；5）二次外延。该BH激光器MESA台面的制备方法采用PEALD（等离子增强型原子层沉积）生长的SIO2膜层，为原子层面的沉积，相对PECVD生长，膜层更致密，无针孔，其膜层与基片表面粘附性极强，50~100nm膜厚就能满足二次外延的需求，且生长时应力较小，二次外延生长的掩埋层更均匀。

技术领域

本发明涉及激光器技术领域，特别涉及一种BH激光器MESA台面的制备方法。

背景技术

边发射激光器的结构主要分为脊波导结构(RWG)和掩埋异质结结构(BH)两种，RWG结构激光器芯片优点结构设计简单，缺点功耗大，椭圆光斑耦合效率低；BH结构激光器芯片优点功耗低、出光功率高、圆形光斑耦合效率高，缺点为结构设计复杂。目前市场主要倾向于低功率及高耦合效率产品，因此BH激光器为目前主要研究方向。

MESA台面制备是BH激光器制造过程最主要的工序之一，如何保证MESA高度和台面宽度整片均匀性为研究的重点及难点。MESA台面制备主要分为SIO2掩盖层生长、MESA光刻、SIO2掩盖层蚀刻、MESA腐蚀、二次外延几个步骤。在现有技术中SIO2掩盖层生长采用PECVE生长SIO2，采用PECVE生长SIO2膜层致密性，应力和粘附性不好，做为MESA掩蔽层需要胶厚的SIO2膜，通常膜厚在150nm~300nm，同时PECVD生长的膜层热膨胀系数高，高温外延生长过程容易脱落，影响均匀性。在于现有MESA腐蚀溶液配比腐蚀，腐蚀整片MESA的均匀性在20%~30%，使得整片均匀性差，使得Mesa台面应力大，也会影响二次外延生长。因此有必要研发一种能够改善BH激光器MESA均匀性的方法。

发明内容

为克服上述现有技术中的不足，本发明的目的在于设计一种改善BH激光器MESA均匀性的BH激光器MESA台面的制备方法，其包括如下步骤：

一种BH激光器MESA台面的制备方法，其包括如下步骤：

1）SIO2掩盖层生长，利用PEALD生长SIO2掩蔽膜；

2）MESA光刻；

3）SIO2掩盖层蚀刻；

4）MESA腐蚀；

5）二次外延。

优选的，步骤1）中，SIO2掩蔽膜的生长温度300℃，生长速率为0.2nm/s。

优选的，所述生长SIO2掩蔽膜的厚度为50nm~100nm。

优选的，步骤4）中，MESA腐蚀所使用的腐蚀溶液包括BR、饱和溴水、HBR及H2O，所述BR、饱和溴水、HBR、H2O的体积比为0.5~1:1~2:60~80:100~200。

优选的，步骤4）中MESA腐蚀在恒温槽进行，温度控制在-15℃~-5℃。

上述技术方案具有如下有益效果：该BH激光器MESA台面的制备方法采用PEALD（等离子增强型原子层沉积）生长的SIO2膜层，为原子层面的沉积，相对PECVD生长，膜层更致密，无针孔，其膜层与基片表面粘附性极强，50~100nm膜厚就能满足二次外延的需求；相对于传统工艺，PECVD生长的SiO2厚度要求超过200nm，本发明PEALD生长的SiO2厚度小于100nm，生长时应力较小，二次外延生长的掩埋层更均匀；MESA腐蚀溶液中BR、饱和溴水、HBR、H2O的体积比为0.5~1:1~2:60~80:100~200，腐蚀溶液易控制；MESA腐蚀温度为-15℃~-5℃，可使腐蚀均匀性5%。

附图说明

图1为本发明专利实施例的流程图。

具体实施方式