[发明专利]异质结太阳能电池处理工艺在审
| 申请号： | 202011590698.9 | 申请日： | 2020-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN112670377A | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 黄志强;戴虹;王祥;胡超;陆勇;费红材 | 申请（专利权）人： | 理想晶延半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/20 | 分类号： | H01L31/20 |
| 代理公司： | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人： | 黄海霞 |
| 地址： | 201620 上海市松*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种异质结太阳能电池处理工艺，包括：通过翻转驱动装置驱动管式沉积腔体内的载具进行翻转运动，通过沉积控制装置对基板进行本征沉积处理，以及通过清洗控制装置对进入管式清洗腔体的载具进行气相清洗处理。本发明通过所述翻转运动使得所述载具无需多次进出所述管式沉积腔体内部就能够实现双面镀减反射膜，结合通过所述清洗控制装置对所述载具进行所述气相清洗处理，无需拆装所述载具，从而提高了生产效率；通过所述沉积控制装置对所述管式沉积腔体内装载有基板的载具先进行本征沉积处理有利于减少接口缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 异质结 太阳能电池 处理 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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