[发明专利]一种单晶硅片刻蚀抛光方法在审
| 申请号： | 202011587584.9 | 申请日： | 2020-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN112687536A | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 张绍太;闵高 | 申请（专利权）人： | 苏州金裕阳光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/02;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京盛凡智荣知识产权代理有限公司 11616 | 代理人： | 林淡如 |
| 地址： | 215316 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种单晶硅片刻蚀抛光方法，包括以下步骤：步骤一、首先单晶硅片在抛光设备中进行背面酸洗，单晶硅片经过背面酸洗设备，用于去除扩散后硅片背面及边缘的磷硅玻璃，步骤二、然后进行预清洗，去除单晶硅片片面酸残留物以及其他溶于碱的杂质，然后进行水洗，步骤三、其次在槽式设备中进行碱抛光，本发明涉及单晶硅片刻蚀抛光技术领域。该单晶硅片刻蚀抛光方法，通过多次水洗和清洗，大大地避免了酸液和碱液对单晶硅片加工时的影响，提高了加工质量，通过使用TMAH、KOH以及水混合所配溶液对单晶硅片背表面进行抛光，无高浓度F、N元素，大幅度降低废水处理成本，更环保，并且药耗量更低，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 刻蚀 抛光 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
