[发明专利]一种磁多层膜结构及自旋转移矩磁随机存储器有效
| 申请号： | 202011586313.1 | 申请日： | 2020-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN112767979B | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 闵泰;周雪;郭志新;李桃 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;G11C11/16;H10N50/10 |
| 代理公司： | 北京前审知识产权代理有限公司 11760 | 代理人： | 张波涛;张扬子 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铁电辅助电场调控人工反铁磁固定层的磁多层膜结构及自旋转移矩磁随机存储器(STT‑MRAM)。磁多层膜结构包括：自由层，间隔层，人工反铁磁固定层，铁电层。其中铁电层产生极化电场和电荷转移效应使人工反铁磁固定层反铁磁耦合增强，保证固定层中靠近间隔层的磁性层不进行翻转，实现数据的稳定写入。所述磁性随机存储器，具有隐定性高、功耗低、速度快、抗辐射、非易失性的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多层 膜结构 自旋 转移 随机 存储器 | ||
【主权项】：
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