[发明专利]一种GaN微波大功率器件的散热结构制备方法在审
| 申请号： | 202011584947.3 | 申请日： | 2020-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN112802750A | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 黎荣林;王静辉;崔健;郭跃伟;段磊;闫志峰 | 申请（专利权）人： | 河北博威集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/778;H01L29/423;H01L29/40;H01L23/373;H01L23/367 |
| 代理公司： | 石家庄众志华清知识产权事务所(特殊普通合伙) 13123 | 代理人： | 张建 |
| 地址： | 050200 河北省石*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及电子器件封装技术领域，具体涉及一种GaN微波大功率器件的散热结构制备方法，选取金刚石基板进行打孔，打孔完成后，采用超声波清洗、烘干，对金刚石基板进行金属溅射，对带孔的金刚石基板背面和SiC基的GaN HEMT芯片的背面进行表面激活后，利用晶片键合机将多孔金刚石正面与芯片进行键合，再通过AuSn合金烧结工艺把带孔的金刚石基板焊接在CuW热沉上；本发明的目的是降低器件工作过程中芯片的结温，使器件工作的性能更佳，可靠性更高；本发明散热结构是在传统的芯片和热沉之间增加一层热导率更高的多孔金刚石层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 微波 大功率 器件 散热 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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