[发明专利]一种MEMS硅应变片及其加工方法在审
| 申请号： | 202011579837.8 | 申请日： | 2020-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN112729629A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 陈君杰;丁维培;何江涛;邬若军 | 申请（专利权）人： | 深圳安培龙科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/22 | 分类号： | G01L1/22;B81B3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 东莞市卓越超群知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 44462 | 代理人： | 李慧 |
| 地址： | 518100 广东省深圳市龙岗区平湖街*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及传感器领域，尤指一种MEMS硅应变片及其加工方法。本技术方案通过用化学机械抛光工艺生产的硅片片厚度仅有10‑50um，能很好的解决在制作柔性压力传感器时存在的芯片底层硅片过厚导致的传感器芯片的灵敏度不足的问题；而且在硅片表面设置有氮化硅保护层可以有效地保护硅片上的P型压阻条。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 应变 及其 加工 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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