[发明专利]一种MOSFET器件的终端结构在审
| 申请号： | 202011577221.7 | 申请日： | 2020-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN112635566A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 刘秀梅;周祥瑞;刘锋 | 申请（专利权）人： | 捷捷微电（无锡）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京科家知识产权代理事务所(普通合伙) 11427 | 代理人： | 宫建华 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新吴区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MOSFET器件的终端结构，包括终端保护区，终端保护区包括四个拐角区和连接相邻拐角区的直线区，在拐角区，场限环、栅极导电多晶硅环、浮空导电多晶硅环、栅极金属环和浮空金属环的圆心角a2均相同，且圆心角a2小于90度；拐角区圆弧的最大半径R2大于圆心到直线区最外缘的距离R1；本发明通过将终端结构的直线区延长，增大拐角区圆弧的曲率半径，减小拐角区圆弧的曲率，来优化终端的电场结构，达到分散拐角区电场线分布的目的，降低拐角区的电场强度，这样能有效防止芯片在拐角区击穿，进而提高MOSFET器件的耐压能力，提升器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 器件 终端 结构 | ||
【主权项】：
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