[发明专利]一种高温基片退火架有效
| 申请号： | 202011561782.8 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN112687597B | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 林秋宝;郑韬;周昌杰;张星;黄俊杰 | 申请（专利权）人： | 集美大学 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;H01L21/67 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 杨依展;张迪 |
| 地址： | 361000 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高温基片退火架，包括：承载件和第一缠绕件；承载件包括沿着基片周向延伸的第一部分，以及沿着平行于基片轴向的方向延伸的第二部分；第一缠绕件缠绕在第二部分，以在第二部分的表面形成沿着第二部分长度方向分布的夹持槽；第二部分上沿着长度方向设置有至少三个用于固定第一缠绕件的第一凹槽；第一缠绕件的两端与不同的第一凹槽固定时，第一缠绕件的长度改变，夹持槽的宽度随之改变以适配不同厚度的基片。上述的退火架，可以适应于不同厚度基片的退火处理，特别是在需要成对基片材料面对面退火的情况下能有效地固定和弥合两片基片之间的残留间隙，尽可能地抑制基片上材料的挥发。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高温 退火 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
