[发明专利]一种AlN薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 202011558388.9 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN112795871A | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 至芯半导体（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/58;C23C16/02;C23C16/30;H01L21/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙) 11888 | 代理人： | 彭随丽 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种AlN薄膜的制备方法，涉及半导体技术领域，包括：(1).采用物理气相沉积法于衬底表面沉积第一AlN层；(2).在1500～1800℃、流动氮气气氛下，对第一AlN层进行高温退火处理；(3).在700～1000℃、恒定氮气气氛下，对(2)中的第一AlN层进行退火处理；(4).将退火后的第一AlN层移至金属有机物化学气相沉积设备中，在1100～1300℃条件下，同时通入氢气和氨气，去除退火后的第一AlN层表面的杂质原子；(5).在1300～1400℃，30～100mbar条件下，生长第二AlN层。本发明采用多次退火技术，同时配合后续外延生长，不仅使所得的AlN外延薄膜的位错密度得到有效降低，而且改善了AlN薄膜的应力状态，解决了AlN薄膜外延过程中的开裂行为，最终获得表面平整、位错密度低、无裂纹的高质量AlN薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 aln 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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