[发明专利]制程监测方法及制程监测系统在审
| 申请号： | 202011543541.0 | 申请日： | 2020-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN114664686A | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 王春阳;刘欣然;朱长立 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L27/108 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供一种制程监测方法及制程监测系统，制程监测方法包括：获取在刻蚀腔室中执行刻蚀工艺的半导体结构，并基于半导体结构，形成相应的测试结构；获取测试结构理论执行刻蚀工艺后的第一理论质量；将测试结构置于刻蚀腔室中实际执行刻蚀工艺，并获取测试结构实际执行刻蚀工艺后的第一剩余质量；基于第一理论质量和第一剩余质量，判断刻蚀腔室执行刻蚀工艺的刻蚀状态是否处于正常状态；本发明实施例旨在实现快速获取刻蚀工艺腔体的状态，从而减少产品受到有问题的刻蚀工艺腔体的持续影响。 | ||
| 搜索关键词： | 监测 方法 系统 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
