[发明专利]磁隧道结的制备方法及单元结构在审
| 申请号： | 202011538843.9 | 申请日： | 2020-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN113764576A | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 陈文静;殷加亮;郭宗夏;曹凯华;赵巍胜 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 赵平;叶明川 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种磁隧道结的制备方法及单元结构，所述制备方法包括：在衬底上形成底电极层；在所述底电极层上形成磁隧道结；在所述磁隧道结和所述底电极层组成的表面上形成第一介质层，并根据底电极图案对所述底电极层进行图案化；在图案化后的底电极层和第一介质层组成的表面上形成第二介质层；刻蚀所述第二介质层直至所述底电极层和所述磁隧道结分别得到底电极通孔和顶电极通孔并金属化，本发明可降低或避免刻蚀副产物再沉积带来的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 隧道 制备 方法 单元 结构 | ||
【主权项】：
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