[发明专利]磁隧道结的制备方法及单元结构在审

专利信息
申请号: 202011538843.9 申请日: 2020-12-23
公开(公告)号: CN113764576A 公开(公告)日: 2021-12-07
发明(设计)人: 陈文静;殷加亮;郭宗夏;曹凯华;赵巍胜 申请(专利权)人: 北京航空航天大学
主分类号: H01L43/08 分类号: H01L43/08;H01L43/12;G11C11/16
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 赵平;叶明川
地址: 100191*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 隧道 制备 方法 单元 结构
【权利要求书】:

1.一种磁隧道结的制备方法,其特征在于,包括:

在衬底上形成底电极层;

在所述底电极层上形成磁隧道结;

在所述磁隧道结和所述底电极层组成的表面上形成第一介质层,并根据底电极图案对所述底电极层进行图案化;

在图案化后的底电极层和第一介质层组成的表面上形成第二介质层;

刻蚀所述第二介质层直至所述底电极层和所述磁隧道结分别得到底电极通孔和顶电极通孔并金属化。

2.根据权利要求1所述的磁隧道结的制备方法,其特征在于,所述在所述底电极层上形成磁隧道结具体包括:

在所述底电极层上形成核心层;

在所述核心层上形成覆盖层;

在所述覆盖层上形成第三介质层并在所述第三介质层上形成磁隧道结图形;

以具有磁隧道结图形的第三介质层为掩模对所述核心层和所述覆盖层进行刻蚀得到磁隧道结。

3.根据权利要求2所述的磁隧道结的制备方法,其特征在于,刻蚀所述第二介质层直至所述底电极层和所述磁隧道结分别得到底电极通孔和顶电极通孔并金属化具体包括:

刻蚀所述第二介质层直至所述底电极层和所述覆盖层分别得到底电极通孔和顶电极通孔;

对所述底电极通孔和顶电极通孔进行金属化。

4.根据权利要求3所述的磁隧道结的制备方法,其特征在于,所述对所述底电极通孔和顶电极通孔进行金属化具体包括:

在所述第二介质层、底电极通孔和顶电极通孔组成的表面上形成金属层;

对所述金属层进行图案化以保留所述底电极通孔和顶电极通孔的金属层实现对所述底电极通孔和顶电极通孔的金属化。

5.根据权利要求1所述的磁隧道结的制备方法,其特征在于,进一步包括在形成第一介质层,之前:

对所述磁隧道结的侧壁进行氧化处理得到第一侧壁氧化层。

6.根据权利要求1所述的磁隧道结的制备方法,其特征在于,所述根据底电极图案对所述底电极层进行图案化具体包括:

在所述第一介质层上形成底电极图案;

以具有底电极图案的第一介质层为掩模对所述底电极层进行刻蚀以实现对所述底电极层的图案化。

7.根据权利要求1所述的磁隧道结的制备方法,其特征在于,进一步包括在形成第二介质层,之前:

对图案化后的底电极层进行氧化处理得到第二侧壁氧化层。

8.一种磁隧道结单元结构,其特征在于,包括:

衬底;

形成在所述衬底上的底电极层;

形成在所述底电极层上的磁隧道结;

形成在所述磁隧道结和所述底电极层组成的表面上的第一介质层,具有用于对所述底电极层进行图案化的底电极图案;

形成在图案化后的底电极层和第一介质层组成的表面上的第二介质层;

贯通所述第二介质层与所述底电极层和所述磁隧道结的金属化的底电极通孔和顶电极通孔。

9.根据权利要求8所述的磁隧道结单元结构,其特征在于,进一步包括对所述磁隧道结的侧壁进行氧化处理得到的第一侧壁氧化层。

10.根据权利要求8所述的磁隧道结单元结构,其特征在于,进一步包括对图案化后的底电极层进行氧化处理得到的第二侧壁氧化层。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京航空航天大学,未经北京航空航天大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011538843.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top