[发明专利]平面高电子迁移率晶体管在审
| 申请号： | 202011536169.0 | 申请日： | 2020-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN114664943A | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 周翔 | 申请（专利权）人： | 南通尚阳通集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 226000 江苏省南通市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种平面高电子迁移率晶体管，包括：第一半导体外延层和第二半导体外延层组成的异质结以及位于异质结界面处的二维电子气；沟槽栅的栅极沟槽底部表面位于二维电子气的底部使二维电子气截断；当栅源电压大于等于阈值电压时，被栅极导电材料层侧面和底部表面覆盖的第一半导体外延层的表面形成反型层，源漏端二维电子气导通使器件导通；栅源电压小于阈值电压时，源漏端二维电子气断开并使器件关闭。本发明能实现采用MOSFET的沟槽栅来实现对HEMTs的导通沟道的控制从而方便对阈值电压进行独立调节，方便实现常关型平面高电子迁移率晶体管；还能方便对漂移区电场进行调节从而使漂移区电场分布均匀，能提高器件的击穿电压、降低比导通电阻和尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
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