[发明专利]CMP工艺晶圆定位装置和划痕追踪方法有效
| 申请号： | 202011535744.5 | 申请日： | 2020-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN112692721B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 奚达;郭志田;瞿治军;夏金伟 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;B24B37/005 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CMP工艺晶圆定位装置，包括：传感器，其用于采集预设信号，其根据预设信号发出旋转信号在CMP工艺装片或下片前使CMP研磨头单元十字转架基座旋转到指定位置。反射件，其作为传感器定位反射点。本发明还公开了一种CMP工艺划痕追踪方法。本发明使晶圆在研磨头上片和下片前，研磨头的wafer检测pin(销)、晶圆缺口(notch)、和机械手呈人为可控的特定角度。对于某些应力较高的wafer产品可以根据其实际情况选择所述特定角度，避免研磨头装卸晶圆时造成破片，避免机械手加持晶圆时造成破片。在CMP工艺后如果追溯到产品划伤缺陷，则可以在本发明wafer已固定角度的前提下，通过异常分析精确推导出产生划伤的时间，以便消除设备问题或改进工艺。 | ||
| 搜索关键词： | cmp 工艺 定位 装置 划痕 追踪 方法 | ||
【主权项】：
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