[发明专利]CMP工艺晶圆定位装置和划痕追踪方法

权利要求书

1.一种CMP工艺晶圆定位装置，其特征在于，包括：

传感器，其用于采集预设信号，其根据预设信号发出旋转信号在CMP工艺装片或下片前使CMP研磨头旋转到指定角度；

反射件，其作为传感器定位反射点；

其中，所述预设信号是研磨头马达旋转道数信号，根据马达旋转道数信号使在CMP工艺装片或下片前使CMP研磨头旋转到指定角度；所述指定角度根据晶圆上缺口指定；工作时，在上片前使研磨头和研磨盘旋转至一固定角度，执行CMP工艺，在下片前使研磨头旋转至上片时研磨头所述的固定角度；检测晶圆，若检测产品划伤，通过异常分析推导出产生划伤的时间定位划伤源。

2.如权利要求1所述的CMP工艺晶圆定位装置，其特征在于：

所述传感器固定在CMP研磨头单元十字转架基座底或晶圆装卸平台（HCLU）基座旁的支柱上。

3.如权利要求1所述的CMP工艺晶圆定位装置，其特征在于：所述传感器固定在CMP研磨头单元十字转架基座底或晶圆装卸平台（HCLU）基座旁的支柱上。

4.如权利要求1所述的CMP工艺晶圆定位装置，其特征在于：所述反射件安装在CMP研磨头上。

5.如权利要求1-4任意一项所述的CMP工艺晶圆定位装置，其特征在于：所述指定角度根据晶圆上缺口指定。

6.如权利要求1-4任意一项所述的CMP工艺晶圆定位装置，其特征在于：所述指定角度根据晶圆上缺口和机械手之间夹角确定。