[发明专利]金刚石基紫外探测器及其制备方法有效
申请号: | 202011535536.5 | 申请日: | 2020-12-23 |
公开(公告)号: | CN112670358B | 公开(公告)日: | 2021-08-03 |
发明(设计)人: | 华斌;辜艺敏;顾星;倪贤锋;范谦 | 申请(专利权)人: | 东南大学苏州研究院 |
主分类号: | H01L31/0392 | 分类号: | H01L31/0392;H01L31/0224;H01L31/0236;H01L31/18 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 金诗琦 |
地址: | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种金刚石基紫外探测器,包括金刚石薄膜、第一电极、第二电极和绝缘层;金刚石薄膜包括金刚石微柱、第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽,金刚石微柱在金刚石薄膜的表面周期性排布,金刚石微柱之间的空隙为第三沟槽,第三沟槽的两侧分别设与其联通的第一沟槽、第二沟槽;第一电极在第一沟槽、第三沟槽上;第二电极在第二沟槽、第三沟槽上方;绝缘层在第一电极、第二电极堆叠的区域之间。本发明还公开了一种金刚石基紫外探测器的制备方法。本发明利用沟槽设置堆叠的第一电极和第二电极,提高金刚石薄膜表面占空比,增加载流子数量并实现其有效收集,提高了灵敏度和响应度。 | ||
搜索关键词: | 金刚石 紫外 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学苏州研究院,未经东南大学苏州研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011535536.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的