[发明专利]一种利用含乙烯的氯基CVD晶体薄膜生长制程尾气FTrPSA制备氯乙烯的方法有效
| 申请号： | 202011534055.2 | 申请日： | 2020-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN112573991B | 公开（公告）日： | 2023-03-03 |
| 发明（设计）人： | 钟雨明;钟娅玲;汪兰海;陈运;唐金财;蔡跃明;蒋强 | 申请（专利权）人： | 四川天采科技有限责任公司 |
| 主分类号： | C07C17/156 | 分类号： | C07C17/156;C07C21/06;C07C17/383;C07C11/04;C07C7/11;C07C7/00;C07C7/12;C07C7/04;C01B7/01;C10L1/04 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 轩勇丽 |
| 地址： | 610041 四川省成都市中国（四川）自由贸*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用含乙烯的氯基CVD晶体薄膜生长制程尾气FTrPSA制备氯乙烯的方法，属于氯基硅/碳化硅单晶或外延薄膜生长过程中所产生的尾气综合再利用技术领域；该方法包括原料预处理、氯硅烷喷淋吸收、中常温变压吸附浓缩、氯氧化反应、EDC精馏、EDC裂解、HCl精馏、VCM精馏、多级蒸发/压缩/冷凝、氯硅烷中浅冷精馏、乙烯精制等工序；本发明通过利用基于乙烯与“硅”源化合物反应的氯基SiC‑CVD晶体或外延薄膜生长制程尾气中的HCl和乙烯来制备氯乙烯单体，既实现了尾气综合利用，又减少了尾气排放，弥补了SiC氯基外延制程尾气处理技术的空白。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 乙烯 cvd 晶体 薄膜 生长 尾气 ftrpsa 制备 氯乙烯 方法 | ||
【主权项】：
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