[发明专利]三维集成结构及其制造方法有效
| 申请号： | 202011531343.2 | 申请日： | 2020-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN112652621B | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 朱宝;陈琳;孙清清;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/08 | 分类号： | H01L27/08;H01L21/822 |
| 代理公司： | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人： | 黄海霞 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种三维集成结构,包括：第一纳米电容，第一纳米电容设有显露出部分第一底部金属电极层的第一底部连电接孔和显露出第一顶部金属电极层的第二底部连接孔；第二纳米电容，垂直设于第一纳米容且位于第一底部连接孔和第二底部连接孔之间，包括第二底部金属电极层和第二顶部金属电极层，第二纳米电容设有显露出部分第二底部金属电极层的第一顶部连接孔和显露出部分第二顶部金属电极层的第二顶部连接孔。本发明通过第一纳米电容和第二纳米电容垂直并联，且第一纳米电容且位于第一底部连接孔和第二底部连接孔之间，显著增大电容密度，减少纳米电容所占据三维集成结构的平面面积。另外，本发明还提供了一种三维集成结构的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 集成 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司，未经复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011531343.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
