[发明专利]等离子体处理装置零部件的处理方法、零部件及处理装置在审
| 申请号： | 202011515986.8 | 申请日： | 2020-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN114649180A | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 赵军;苏兴才 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 徐雯琼;张静洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种改善刻蚀速率的处理方法及等离子体处理装置，该处理方法包含：将零部件置于一真空反应腔；将一热氧化处理的硅晶圆置于该真空反应腔内；生成高致密性硅薄膜：向真空反应腔内通入有机刻蚀气体；向真空反应腔施加一射频信号，射频信号将所述有机刻蚀气体激发为等离子体，该等离子体轰击硅晶圆，生成高致密性硅薄膜覆盖在零部件表面。本发明采用非常低成本的处理气体和镀膜工艺，实现了气体喷淋头等刻蚀腔内可能接触到等离子体的零部件的均匀镀膜，隔绝了零部件的Y2O3涂层或Al2O3/SiC涂层与等离子体的直接接触，从而最大程度地减少了微颗粒污染，并且稳定了有机刻蚀反应的反应速率，提高了生产均一性，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 零部件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中微半导体设备（上海）股份有限公司，未经中微半导体设备（上海）股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011515986.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种水电热联控安全物联网管理系统
- 下一篇：一种可防变形的不锈钢加工设备
