[发明专利]一种二乙基二卤化锗的制备方法在审
| 申请号： | 202011514955.0 | 申请日： | 2020-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN112574250A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 曾翼俊;陈世栋;徐成;黄邹松 | 申请（专利权）人： | 清远先导材料有限公司 |
| 主分类号： | C07F7/30 | 分类号： | C07F7/30 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 颜希文;王朝毅 |
| 地址： | 511517 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种二乙基二卤化锗的制备方法，所述方法包括以下步骤：(1)将乙基碘化镁、四卤化锗在酸性条件下的有机溶剂A中混合并在不超过10℃的温度下反应得到四乙基锗；(2)将步骤(1)得到的四乙基锗和四卤化锗在300℃～400℃反应得到二乙基二卤化锗。本发明的二乙基二卤化锗的制备方法提供了一种新的二乙基二卤化锗的合成工艺流程，本发明二乙基二卤化锗的制备方法不需要使用任何有毒气体原料，尤其不需要使用氯乙烷，不需要尾气处理步骤，避免了反应设备泄露导致有毒气体泄露，而且也不产生任何的有毒气体类的中间产物，产品杂质较少，纯度高，更易获得性状较稳定的产品，从而更利于大生产，产率高，绿色环保。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 乙基 卤化 制备 方法 | ||
【主权项】：
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