[发明专利]一种带有过刻蚀阻挡层的MEMS结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202011507466.2 | 申请日： | 2020-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN112624031B | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 张乐民;刘福民;梁德春;崔尉;李娜;刘宇;马骁;杨静 | 申请（专利权）人： | 北京航天控制仪器研究所 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00;B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00;B81C3/00 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 陈鹏 |
| 地址： | 100854 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种带有过刻蚀阻挡层的MEMS结构及其制备方法，包括上层器件层、底层衬底层和中间的锚区层，通过衬底层和器件层晶圆键合与刻蚀技术，形成由锚区支撑的可动质量块结构。与传统SOG结构的带电极引出的可动质量块结构相比，本发明在器件层底部生长过刻蚀阻挡金属层，当刻蚀深度达到器件层厚度时，过刻蚀阻挡层能阻挡进一步刻蚀，避免损伤衬底层，且不会产生反溅。与在衬底电极层表面生长刻蚀阻挡层相比，该过刻蚀阻挡层具有更好的阻挡效果，且能避免刻蚀聚合物沉积在结构底部；完成结构加工后通过湿法腐蚀等方式选择性去除过刻蚀阻挡层，即可得到最终需要的MEMS产品结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 带有 刻蚀 阻挡 mems 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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