[发明专利]一种引线框架的表面镀膜工艺在审
| 申请号： | 202011500584.0 | 申请日： | 2020-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN114649211A | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 何志刚;王敏燕 | 申请（专利权）人： | 安徽省东科半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 苏州国卓知识产权代理有限公司 32331 | 代理人： | 刘静宇 |
| 地址： | 243000 安徽省马鞍山市马鞍山经济技术*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及镀膜技术领域，具体公开了一种引线框架的表面镀膜工艺，具体工艺包括如下步骤：S1、预处理；S2、离子清洗；S3、电镀处理；S4、制备保护层。本发明提供的引线框架的表面镀膜工艺，利用离子清洗，可以提高工件表面的活性，能够增强后续镀膜效果，能够提高镀膜与工件的结合强度，配合电镀处理，提高成膜稳定性，不易脱落，进而增强耐腐蚀性能，增加引线框架的使用寿命，另外，配合保护层，可以对镀膜起到保护作用，同时，该工艺大大降低了生产成本，简化了工艺流程，提高了加工效率，减轻了工人的劳动强度，制备的保护膜性能稳定，且质地较硬，化学性能稳定，不会由于在高温环境和紫外线照射下变性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 引线 框架 表面 镀膜 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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