[发明专利]一种引线框架的表面镀膜工艺在审
申请号: | 202011500584.0 | 申请日: | 2020-12-17 |
公开(公告)号: | CN114649211A | 公开(公告)日: | 2022-06-21 |
发明(设计)人: | 何志刚;王敏燕 | 申请(专利权)人: | 安徽省东科半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 苏州国卓知识产权代理有限公司 32331 | 代理人: | 刘静宇 |
地址: | 243000 安徽省马鞍山市马鞍山经济技术*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 引线 框架 表面 镀膜 工艺 | ||
本发明涉及镀膜技术领域,具体公开了一种引线框架的表面镀膜工艺,具体工艺包括如下步骤:S1、预处理;S2、离子清洗;S3、电镀处理;S4、制备保护层。本发明提供的引线框架的表面镀膜工艺,利用离子清洗,可以提高工件表面的活性,能够增强后续镀膜效果,能够提高镀膜与工件的结合强度,配合电镀处理,提高成膜稳定性,不易脱落,进而增强耐腐蚀性能,增加引线框架的使用寿命,另外,配合保护层,可以对镀膜起到保护作用,同时,该工艺大大降低了生产成本,简化了工艺流程,提高了加工效率,减轻了工人的劳动强度,制备的保护膜性能稳定,且质地较硬,化学性能稳定,不会由于在高温环境和紫外线照射下变性。
技术领域
本发明涉及镀膜技术领域,特别涉及一种引线框架的表面镀膜工艺。
背景技术
引线框架作为集成电路的芯片载体,是一种借助于键合材料(金丝、铝丝、铜丝)实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接,形成电气回路的关键结构件,它起到了和外部导线连接的桥梁作用,绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架,是电子信息产业中重要的基础材料。
引线框架电子信息产业中重要的基础材料,为了保证电子产品的使用寿命以及使用效果,需要保证引线框架的质量,因此需要对其表面进行镀膜处理,提高材料的强度,改善韧性,保证引线框架的使用寿命,为此我们提出了一种引线框架的表面镀膜工艺。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种引线框架的表面镀膜工艺,可以有效解决现有技术中的问题。
一种引线框架的表面镀膜工艺,具体工艺包括如下步骤:
S1、预处理;
S2、离子清洗;
S3、电镀处理;
S4、制备保护层。
步骤S1中所述预处理包括:
1)、对成型的引线框架进行打磨,去除表面的毛刺;
2)、将打磨后的引线框架工件放入预处理液中,超声处理4~6min,脱除浮尘和油脂;
其中:预处理液由聚环氧琥珀酸钠、葡萄糖酸钠、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠按1:1~2.5:3~5组成。
步骤S2中离子清洗,能够使等离子体中的大量离子、激发态分子、自由基等多种活性粒子,作用到固体样品表面,不仅可以清除表面的污染物和杂质,还可以让等离子体作用到固体表面,将固体表面的原有的化学键产生断裂,等离子体中的自由基与这些键形成网状的交联结构,提高材料表面活性。
步骤S3中电镀处理具体操作方式为:将离子清洗后的引线框架工件放入电解液中,作为正极,采用不锈钢板作为负极,电镀处理8~10min,利用电解在工件表面形成均匀、致密、结合良好的金属或合金沉积层,沉积厚度为2~5μm。
步骤S3中所述电镀处理过程中电压为320~380V,电流为15~25A,频率为400~600Hz。
步骤S4所述制备保护层具体操作方式为:将电镀处理后的引线框架工件洗涤、烘干后,将聚三氟丙基甲基硅氧烷均匀涂覆在工件表面,室温下固化反应2~3h,再于100~120℃热处理1~2h,制得表面保护层,保护层的厚度为1~3μm。
本发明提供的引线框架的表面镀膜工艺,利用离子清洗,可以提高工件表面的活性,能够增强后续镀膜效果,能够提高镀膜与工件的结合强度,提高成膜稳定性,不易脱落,进而增强耐腐蚀性能,增加引线框架的使用寿命,另外,配合保护层,可以对镀膜起到保护作用,同时,该工艺大大降低了生产成本,简化了工艺流程,提高了加工效率,减轻了工人的劳动强度,制备的保护膜性能稳定,且质地较硬,化学性能稳定,不会由于在高温环境和紫外线照射下变性。
附图说明
图1为本发明一种引线框架的表面镀膜工艺的工艺流程图。
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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