[发明专利]一种LDMOS器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202011498198.2 | 申请日： | 2020-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN114649396B | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 杨柳青 | 申请（专利权）人： | 和舰芯片制造（苏州）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 刘小峰;李红萧 |
| 地址： | 215025 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LDMOS器件，包含：形成于衬底上的横向隔开的P型阱和N型阱；包含在P型阱内形成的N+区的源极区域；包含在N型阱内形成的N+区的漏极区域；形成于漏极区域的N+区靠近源极区域的一侧的浅沟道隔离区域；以及栅极区域。其中，限定位于浅沟道隔离区下方且处在积累区域和N型阱之间的区域为R区域，积累区域的宽度与R区域的宽度的比值设置在预定阈值范围内以改善LDMOS器件的准饱和效应。该LDMOS器件通过控制不同区域宽度的比值来改善器件的准饱和效应。本发明同时提供一种制备LDMOS器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ldmos 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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