[发明专利]一种适用半导体集成电路的光刻胶剥离液及制备方法在审
| 申请号： | 202011496510.4 | 申请日： | 2020-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN112731777A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 刘江华;冯继恒;尹淞;鲁晨泓;张建 | 申请（专利权）人： | 芯越微电子材料（嘉兴）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 314200 浙江省嘉兴*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种适用半导体集成电路的光刻胶剥离液及制备方法，包括非腐蚀性有机胺和极性非离子溶剂；以质量百分比计，非腐蚀性有机胺1‑70％，极性非离子溶剂30‑99％。本发明不含有腐蚀性的强碱，清洗后无光刻胶残留，可直接水洗，不会产生金属层腐蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适用 半导体 集成电路 光刻 剥离 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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